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元件参数资料
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参数目录40285
> ALD114835PCL MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP
型号:
ALD114835PCL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Advanced Linear Devices Inc
描述:
MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ALD114835PCL PDF
标准包装
25
系列
EPAD®
FET 型
4 N 通道(半桥)
FET 特点
耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)
10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
540 欧姆 @ 0V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.45V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
通孔
封装/外壳
16-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装
16-PDIP
包装
管件
其它名称
1014-1059
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